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Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET ： 通過(guò)碳化硅FET（SiC）或溝槽FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)低的導(dǎo)通電阻 ● 具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān) ● 可通過(guò)TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間 ● 低動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗和 低的導(dǎo)通損耗 ● 適用于工業(yè)電源應(yīng)用 ● 過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn)方面均很堅(jiān)固 ● 的dv / dt抗高壓瞬變能力 。

Behlke高壓開(kāi)關(guān)雙向/交流電壓MOSFET ：具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān)●性無(wú)關(guān)●非常適合振蕩電路和常規(guī)RF應(yīng)用●可通過(guò)TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間●過(guò)載和電壓反轉(zhuǎn)方面都很●現(xiàn)在可用：LC2技術(shù)可提供高的瞬態(tài)抗擾性。

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Behlke高壓開(kāi)關(guān) MCT ： ● 具有真正繼電器特性的多功能高壓開(kāi)關(guān) ● 可通過(guò)TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間 ● 低導(dǎo)通損耗 ● 高浪涌電流能力 ● 200安培關(guān)斷能力 ● 的dv / dt抗高壓瞬變能力 。